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Ferroelectric Random Access Memory
释义
Ferroelectric Random Access Memory
铁电随机存取记忆体(=FRAM)
属於非挥发性记忆体的一种,具有低耗电、高耐久、高速读写特性,是Ramtron公司研发所得。
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更新时间:2026/10/25 5:18:24